STH6N95K5-2

功能描述:MOSFET N-CH 950V 6A

制造商:stmicroelectronics

系列:MDmesh? K5

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):950V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.25 欧姆 @ 3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):450pF @ 100V

功率 - 最大值:110W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型

供应商器件封装:H2Pak-2

标准包装:1

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